三星将为英伟达下一代HBM基础裸片采用台积电3纳米工艺
看涨高影响
SSNLFUS$140.00 114.69%TSMUS$412.61 −2.28%NVDAUS$214.13 −1.43%SKHYUS$136.49 −6.58%MUUS$878.84 −5.63%005930₩218,000.00 1.16%
Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF)将利用Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (NYSE:TSM)及其3纳米制造工艺，为NVIDIA Corporation (NASDAQ:NVDA)设计的下一代定制高带宽内存芯片制造基础裸片。英伟达要求包括SK hynix Inc. (NASDAQ:SKHY)和Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU)在内的主要内存制造商，为NVHBM基础裸片采用台积电工艺，同时为核心裸片使用第六代DRAM技术。
这一决定标志着三星首次在高带宽内存生产过程中与台积电直接合作。NVHBM于8月推出，将英伟达定制的内存控制器直接集成到基础裸片中，以实现各内存供应商之间统一的方案。三星在内部评估后接受了相关规格，但仍计划为标准内存产品以及面向其他客户的定制设计保留内部制造体系。
展望未来，如果市场总需求最终超过台积电现有的产能上限，三星正在评估其自有半导体制造设施能否生产NVHBM基础裸片。
要点
- 三星电子将采用台积电3纳米制造工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存制造基础裸片。
- 英伟达要求三星、SK hynix和Micron Technology为NVHBM基础裸片使用台积电工艺，并为核心裸片使用第六代DRAM。
- 这一安排标志着三星和台积电首次在高带宽内存制造领域展开合作。
- 三星将继续为标准内存和其他客户定制的芯片保留内部制造，同时评估必要时能否通过自有晶圆厂生产NVHBM基础裸片。
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三星为什么要将台积电技术用于英伟达HBM芯片？
英伟达要求内存供应商为NVHBM基础裸片采用台积电3纳米工艺，以集成其定制内存控制器，并统一各供应商的内存实现方案。
三星会停止自有内存芯片制造吗？
不会。三星计划继续采用内部制造模式生产标准高带宽内存和面向其他客户的定制产品；如果需求超过台积电产能，三星可能使用自有晶圆厂。
哪些内存制造商被要求为NVHBM采用台积电工艺？
英伟达要求三星、SK hynix和Micron Technology为NVHBM基础裸片采用台积电3纳米工艺，并为核心裸片配套使用第六代DRAM。