Samsung usará processo de 3 nm da TSMC para dies-base HBM de próxima geração da Nvidia
A Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) utilizará a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (NYSE:TSM) e seu processo de fabricação de 3 nanômetros para produzir dies-base de chips de memória personalizados de alta largura de banda de próxima geração projetados para a NVIDIA Corporation (NASDAQ:NVDA). A Nvidia pediu aos principais fabricantes de memória, incluindo a SK hynix Inc. (NASDAQ:SKHY) e a Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU), que adotassem o processo da TSMC para os dies-base NVHBM, usando tecnologia DRAM de sexta geração para os dies centrais.
Essa decisão representa a primeira vez que a Samsung colabora diretamente com a TSMC durante o processo de produção de memória de alta largura de banda. Apresentada em agosto, a NVHBM integra o controlador de memória personalizado da Nvidia diretamente ao die-base para criar uma implementação uniforme entre os fornecedores de memória. A Samsung aceitou as especificações após uma avaliação interna, embora pretenda manter sua estrutura de fabricação própria para produtos de memória padrão e designs personalizados desenvolvidos para outros clientes.
No futuro, a Samsung avaliará se suas próprias instalações de fabricação de semicondutores poderiam produzir dies-base NVHBM caso a demanda total do mercado eventualmente supere o limite de produção disponível da TSMC.
Pontos principais
- A Samsung Electronics produzirá dies-base para a memória personalizada de alta largura de banda de próxima geração da Nvidia usando o processo de fabricação de 3 nanômetros da TSMC.
- A Nvidia pediu à Samsung, à SK hynix e à Micron Technology que usassem o processo da TSMC para os dies-base NVHBM e DRAM de sexta geração para os dies centrais.
- O acordo marca a primeira vez que Samsung e TSMC colaboram na fabricação de memória de alta largura de banda.
- A Samsung manterá sua fabricação interna para memória padrão e chips personalizados produzidos para outros clientes, enquanto avalia se sua própria foundry poderia fabricar dies-base NVHBM, se necessário.
Traduzido pela nossa IA a partir do nosso texto em inglês, baseado em fontes especializadas do mercado na web. Pode conter erros: confira os fatos antes de agir. Resumos feitos com a API de IA grátis da FreeTheAI.org
Como escrevemosAviso legalPerguntas e respostas
Por que a Samsung está usando a tecnologia da TSMC para chips HBM da Nvidia?
A Nvidia pediu aos fornecedores de memória que usassem o processo de 3 nanômetros da TSMC para os dies-base NVHBM, a fim de integrar seu controlador de memória personalizado e padronizar a implementação da memória entre os fornecedores.
A Samsung está interrompendo sua própria fabricação de chips de memória?
Não. A Samsung planeja manter seu modelo de fabricação interna para memória de alta largura de banda padrão e produtos personalizados para outros clientes, e poderá usar sua própria foundry se a demanda superar a capacidade da TSMC.
Quais fabricantes de memória foram solicitados a adotar o processo da TSMC para a NVHBM?
A Nvidia pediu à Samsung, à SK hynix e à Micron Technology que usassem o processo de 3 nanômetros da TSMC para os dies-base NVHBM, junto com DRAM de sexta geração para os dies centrais.