Samsung utilisera le procédé 3 nm de TSMC pour les dies de base HBM de nouvelle génération de Nvidia

19 oct., 08:56 UTCHaussierImpact fort

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Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) utilisera Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (NYSE:TSM) et son procédé de fabrication en 3 nanomètres pour produire les dies de base de puces mémoire personnalisées à large bande passante de nouvelle génération conçues pour NVIDIA Corporation (NASDAQ:NVDA). Nvidia a demandé aux principaux fabricants de mémoire, dont SK hynix Inc. (NASDAQ:SKHY) et Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU), d’adopter le procédé de TSMC pour les dies de base NVHBM, tout en utilisant une technologie DRAM de sixième génération pour les dies principaux.

Cette décision constitue la première collaboration directe entre Samsung et TSMC au cours du processus de production de mémoire à large bande passante. Présentée en août, la NVHBM intègre le contrôleur mémoire personnalisé de Nvidia directement dans le die de base afin d’assurer une mise en œuvre uniforme chez les fournisseurs de mémoire. Samsung a accepté les spécifications après une évaluation interne, mais entend conserver son dispositif de fabrication interne pour les produits mémoire standards et les conceptions personnalisées destinées à d’autres clients.

À l’avenir, Samsung évalue la possibilité que ses propres installations de fabrication de semi-conducteurs produisent les dies de base NVHBM si la demande totale du marché dépasse finalement la limite de production disponible de TSMC.

Points clés

Samsung Electronics produira les dies de base de la mémoire personnalisée à large bande passante de nouvelle génération de Nvidia en utilisant le procédé de fabrication 3 nm de TSMC.
Nvidia a demandé à Samsung, SK hynix et Micron Technology d’utiliser le procédé de TSMC pour les dies de base NVHBM et une DRAM de sixième génération pour les dies principaux.
Cette entente marque la première collaboration entre Samsung et TSMC dans la fabrication de mémoire à large bande passante.
Samsung conservera sa fabrication en interne pour la mémoire standard et les puces personnalisées produites pour d’autres clients, tout en évaluant si sa propre fonderie pourrait fabriquer les dies de base NVHBM si nécessaire.

Traduit par notre IA à partir de notre article en anglais, fondé sur des sources expertes des marchés sur le web. Des erreurs sont possibles : vérifiez les faits avant d’agir. Synthèses rédigées avec l’API d’IA gratuite de FreeTheAI.org

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Questions et réponses

Pourquoi Samsung utilise-t-il la technologie de TSMC pour les puces HBM de Nvidia ?

Nvidia a demandé aux fournisseurs de mémoire d’utiliser le procédé 3 nm de TSMC pour les dies de base NVHBM afin d’intégrer son contrôleur mémoire personnalisé et d’uniformiser la mise en œuvre de la mémoire chez les fournisseurs.

Samsung arrête-t-il sa propre fabrication de puces mémoire ?

Non. Samsung prévoit de conserver son modèle de fabrication interne pour la mémoire standard à large bande passante et les produits personnalisés destinés à d’autres clients. Il pourrait utiliser sa propre fonderie si la demande dépasse la capacité de TSMC.

Quels fabricants de mémoire ont été invités à adopter le procédé de TSMC pour la NVHBM ?

Nvidia a demandé à Samsung, SK hynix et Micron Technology d’utiliser le procédé 3 nm de TSMC pour les dies de base NVHBM, ainsi qu’une DRAM de sixième génération pour les dies principaux.