Samsung usará el proceso de 3 nm de TSMC para los troqueles base HBM de próxima generación de Nvidia

19 oct, 08:56 UTCAlcistaImpacto alto

SSNLF140,00 US$ 114,69%TSM412,61 US$ −2,28%NVDA214,13 US$ −1,43%SKHY136,49 US$ −6,58%MU878,84 US$ −5,63%005930218.000,00 KRW 1,16%

Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) utilizará a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (NYSE:TSM) y su proceso de fabricación de 3 nanómetros para producir troqueles base para chips de memoria personalizados de alto ancho de banda de próxima generación diseñados para NVIDIA Corporation (NASDAQ:NVDA). Nvidia solicitó a los principales fabricantes de memoria, incluidos SK hynix Inc. (NASDAQ:SKHY) y Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU), que adoptaran el proceso de TSMC para los troqueles base de NVHBM, mientras utilizan tecnología DRAM de sexta generación para los troqueles centrales.

Esta decisión representa la primera ocasión en que Samsung colabora directamente con TSMC durante el proceso de producción de memoria de alto ancho de banda. Presentada en agosto, NVHBM integra el controlador de memoria personalizado de Nvidia directamente en el troquel base para crear una implementación uniforme entre los proveedores de memoria. Samsung aceptó las especificaciones tras una evaluación interna, aunque pretende conservar su estructura de fabricación interna para productos de memoria estándar y diseños personalizados desarrollados para otros clientes.

De cara al futuro, Samsung está evaluando si sus propias instalaciones de fabricación de semiconductores podrían producir troqueles base de NVHBM si la demanda total del mercado finalmente supera el límite de producción disponible de TSMC.

Puntos clave

Samsung Electronics producirá troqueles base para la memoria personalizada de alto ancho de banda de próxima generación de Nvidia utilizando el proceso de fabricación de 3 nanómetros de TSMC.
Nvidia pidió a Samsung, SK hynix y Micron Technology que usaran el proceso de TSMC para los troqueles base de NVHBM y DRAM de sexta generación para los troqueles centrales.
El acuerdo marca la primera vez que Samsung y TSMC colaboran en la fabricación de memoria de alto ancho de banda.
Samsung mantendrá su fabricación interna para la memoria estándar y los chips personalizados fabricados para otros clientes, mientras evalúa si su propia fundición podría producir troqueles base de NVHBM si fuera necesario.

Traducido por nuestra IA a partir de nuestro artículo en inglés, basado en fuentes expertas del mercado en la web. Puede contener errores: verifica los datos antes de actuar. Resúmenes creados con la API de IA gratis de FreeTheAI.org

Cómo escribimos Aviso legal

Preguntas y respuestas

¿Por qué Samsung usa la tecnología de TSMC para los chips HBM de Nvidia?

Nvidia solicitó a los proveedores de memoria que usaran el proceso de 3 nanómetros de TSMC para los troqueles base de NVHBM con el fin de integrar su controlador de memoria personalizado y estandarizar la implementación de memoria entre los proveedores.

¿Samsung está deteniendo su propia fabricación de chips de memoria?

No. Samsung planea mantener su modelo de fabricación interna para la memoria estándar de alto ancho de banda y los productos personalizados para otros clientes, y podría usar su propia fundición si la demanda supera la capacidad de TSMC.

¿Qué fabricantes de memoria recibieron la solicitud de adoptar el proceso de TSMC para NVHBM?

Nvidia solicitó a Samsung, SK hynix y Micron Technology que usaran el proceso de 3 nanómetros de TSMC para los troqueles base de NVHBM junto con DRAM de sexta generación para los troqueles centrales.