سامسونج ستستخدم عملية TSMC بدقة 3 نانومترات لشرائح القاعدة HBM من الجيل التالي لدى إنفيديا
ستستخدم Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) شركة Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (NYSE:TSM) وعملية التصنيع بدقة 3 نانومترات التابعة لها لبناء شرائح قاعدة لرقائق ذاكرة مخصصة عالية النطاق الترددي من الجيل التالي، صُممت لصالح NVIDIA Corporation (NASDAQ:NVDA). وطلبت إنفيديا من كبرى شركات تصنيع الذاكرة، بما في ذلك SK hynix Inc. (NASDAQ:SKHY) وMicron Technology, Inc. (NASDAQ:MU)، اعتماد عملية TSMC لشرائح قاعدة NVHBM، مع استخدام تقنية DRAM من الجيل السادس لشرائح النواة.
ويمثل هذا القرار أول تعاون مباشر بين سامسونج وTSMC خلال عملية إنتاج الذاكرة عالية النطاق الترددي. وقدمت NVHBM في أغسطس، وهي تدمج وحدة التحكم المخصصة للذاكرة من إنفيديا مباشرة في شريحة القاعدة لإنشاء تطبيق موحد بين موردي الذاكرة. وقبلت سامسونج المواصفات بعد تقييم داخلي، لكنها تعتزم الحفاظ على منظومة التصنيع الداخلية الخاصة بها لمنتجات الذاكرة القياسية والتصاميم المخصصة التي تُصنع لعملاء آخرين.
وفي المرحلة المقبلة، تقيّم سامسونج ما إذا كانت منشآتها الخاصة لتصنيع أشباه الموصلات قادرة على إنتاج شرائح قاعدة NVHBM إذا تجاوز إجمالي الطلب في السوق في نهاية المطاف الحد المتاح لإنتاج TSMC.
أهم النقاط
- ستنتج Samsung Electronics شرائح قاعدة للذاكرة المخصصة عالية النطاق الترددي من الجيل التالي لدى إنفيديا باستخدام عملية التصنيع بدقة 3 نانومترات من TSMC.
- طلبت إنفيديا من سامسونج وSK hynix وMicron Technology استخدام عملية TSMC لشرائح قاعدة NVHBM وذاكرة DRAM من الجيل السادس لشرائح النواة.
- يمثل هذا الترتيب أول تعاون بين سامسونج وTSMC في تصنيع الذاكرة عالية النطاق الترددي.
- ستحتفظ سامسونج بتصنيعها الداخلي للذاكرة القياسية والرقائق المخصصة المصنوعة لعملاء آخرين، بينما تقيّم ما إذا كان مصنعها الخاص قادراً على إنتاج شرائح قاعدة NVHBM عند الحاجة.
ترجمه ذكاؤنا الاصطناعي من مقالنا الإنجليزي المستند إلى مصادر سوق خبيرة على الويب. قد يحتوي على أخطاء: تحقق من الحقائق قبل أي قرار. الملخصات مكتوبة بواجهة الذكاء الاصطناعي المجانية من FreeTheAI.org
كيف نكتبإخلاء المسؤوليةأسئلة وأجوبة
لماذا تستخدم سامسونج تقنية TSMC لرقائق HBM الخاصة بإنفيديا؟
طلبت إنفيديا من موردي الذاكرة استخدام عملية TSMC بدقة 3 نانومترات لشرائح قاعدة NVHBM لدمج وحدة التحكم المخصصة للذاكرة وتوحيد تطبيق الذاكرة بين الموردين.
هل ستتوقف سامسونج عن تصنيع رقائق الذاكرة الخاصة بها؟
لا. تخطط سامسونج للإبقاء على نموذج التصنيع الداخلي للذاكرة القياسية عالية النطاق الترددي والمنتجات المخصصة للعملاء الآخرين، وقد تستخدم مصنعها الخاص إذا تجاوز الطلب قدرة TSMC.
ما شركات تصنيع الذاكرة التي طُلب منها اعتماد عملية TSMC لصالح NVHBM؟
طلبت إنفيديا من سامسونج وSK hynix وMicron Technology استخدام عملية TSMC بدقة 3 نانومترات لشرائح قاعدة NVHBM إلى جانب DRAM من الجيل السادس لشرائح النواة.