三星与竞争对手台积电合作 为英伟达生产下一代AI内存基础裸片
看涨高影响
三星电子（Samsung Electronics Co., Ltd.，KRX:005930）计划采用台湾积体电路制造股份有限公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.，TWSE:2330）的3纳米制造技术，为英伟达（NVIDIA Corporation，NVDA）被称为NVHBM的下一代高带宽内存芯片制造基础裸片。英伟达还要求SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）在采用第六代DRAM技术制作核心内存裸片的同时，对其基础裸片使用相同的制造工艺。这一安排标志着竞争对手三星电子与台积电首次在高带宽内存生产过程中展开合作。
这种合作模式使英伟达能够对其内存供应商制造NVHBM芯片的方式进行标准化，从而有助于消除其人工智能硬件供应链中的波动。该合作关系巩固了台积电在人工智能芯片市场中的核心地位。与此同时，三星电子将继续对其标准高带宽内存产品以及其他客户的定制订单使用自己的制造方法。
随着英伟达指示更多内存供应商采用相同的生产路线，投资者应密切关注台积电的制造产能是否会面临紧张。
要点
- 三星电子将使用台积电的3纳米技术为英伟达的NVHBM芯片制造基础裸片。
- 英伟达要求SK海力士和美光在采用第六代DRAM核心裸片的同时，也在基础裸片上采用台积电的制造工艺。
- 这标志着竞争对手芯片制造商三星电子与台积电首次在HBM生产中进行合作。
- 此举旨在使各个内存供应商的NVHBM生产实现标准化，并减少英伟达的供应链波动。
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我们如何撰写免责声明问答
三星为何在英伟达内存芯片上与台积电合作？
三星正在使用台积电的3纳米技术制造英伟达NVHBM芯片的基础裸片，这有助于英伟达实现内存开发的标准化并减少供应链波动。
英伟达要求哪些内存供应商使用台积电技术？
英伟达已要求三星、SK海力士和美光在基础裸片上采用台积电的工艺，同时在核心内存裸片上使用第六代DRAM技术。
三星会停止使用自己的HBM制造工艺吗？
不会，三星将继续在传统HBM和面向其他客户的定制产品中使用自己的生产方法。