Samsung se asocia con su rival TSMC para producir troqueles base de memoria de IA de próxima generación para Nvidia

Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) planea adoptar la tecnología de fabricación de 3 nanómetros de Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (TWSE:2330) para fabricar troqueles base para los chips de memoria de alto ancho de banda de próxima generación de NVIDIA Corporation (NVDA), conocidos como NVHBM. NVIDIA Corporation también ha solicitado que SK Hynix y Micron utilicen el mismo proceso de fabricación para sus troqueles base, al tiempo que emplean tecnología DRAM de sexta generación para los troqueles de memoria central. Este acuerdo marca la primera vez que los competidores Samsung Electronics Co., Ltd. y Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. se asocian durante el proceso de producción de memoria de alto ancho de banda.

El enfoque colaborativo permite a NVIDIA Corporation estandarizar la forma en que sus proveedores de memoria construyen los chips NVHBM, lo que ayuda a eliminar la volatilidad en su cadena de suministro de hardware de IA. La alianza refuerza el papel central de Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. en el mercado de chips de inteligencia artificial. Mientras tanto, Samsung Electronics Co., Ltd. seguirá utilizando su propia metodología de fabricación para productos estándar de memoria de alto ancho de banda y pedidos personalizados para otros clientes.

Los inversores deben estar atentos a si la capacidad de fabricación de Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. se ve limitada a medida que NVIDIA Corporation indica a otros proveedores de memoria que adopten la misma ruta de producción.