Samsung se associa à rival TSMC para produzir dies base de memória de IA de próxima geração para a Nvidia

A Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) planeja adotar a tecnologia de fabricação de 3 nanômetros da Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (TWSE:2330) para construir dies base para os chips de memória de alta largura de banda de próxima geração da NVIDIA Corporation (NVDA), conhecidos como NVHBM. A NVIDIA Corporation também solicitou que a SK Hynix e a Micron utilizem o mesmo processo de fabricação para seus dies base, usando tecnologia DRAM de sexta geração para os dies de memória central. Esse acordo marca a primeira vez que as concorrentes Samsung Electronics Co., Ltd. e Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. se associam durante o processo de produção de memória de alta largura de banda.

A abordagem colaborativa permite que a NVIDIA Corporation padronize a forma como seus fornecedores de memória constroem os chips NVHBM, ajudando a eliminar a volatilidade em sua cadeia de suprimentos de hardware de IA. A parceria reforça o papel central da Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. no mercado de chips de inteligência artificial. Enquanto isso, a Samsung Electronics Co., Ltd. continuará usando sua própria metodologia de fabricação para produtos padrão de memória de alta largura de banda e pedidos personalizados para outros clientes.

Os investidores devem monitorar se a capacidade de fabricação da Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. se tornará limitada à medida que a NVIDIA Corporation orientar outros fornecedores de memória a adotarem o mesmo caminho de produção.