سامسونج تتحالف مع منافستها تي إس إم سي لإنتاج رقائق القاعدة لذاكرة الذكاء الاصطناعي من الجيل القادم لإنفيديا

تخطط شركة سامسونج للإلكترونيات (Samsung Electronics Co., Ltd.، KRX:005930) لاعتماد تكنولوجيا التصنيع بدقة 3 نانومتر من شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.، TWSE:2330) لبناء رقائق القاعدة لرقائق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي من الجيل القادم لشركة إنفيديا (NVIDIA Corporation، NVDA)، والمعروفة باسم NVHBM. كما طلبت شركة إنفيديا من شركتي إس كيه هاينكس وميكرون استخدام نفس عملية التصنيع لرقائق القاعدة الخاصة بهما مع استخدام تقنية DRAM من الجيل السادس لرقائق الذاكرة الأساسية. ويعد هذا الترتيب المرة الأولى التي تتشارك فيها الشركتان المنافستان سامسونج للإلكترونيات وتايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة خلال عملية إنتاج الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي.

يسمح هذا النهج التعاوني لشركة إنفيديا بتوحيد الطريقة التي يبني بها موردو الذاكرة رقائق NVHBM، مما يساعد على القضاء على التقلبات عبر سلسلة توريد أجهزة الذكاء الاصطناعي الخاصة بها. وتعزز هذه الشراكة الدور المركزي لشركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة في سوق رقائق الذكاء الاصطناعي. وفي الوقت نفسه، ستواصل شركة سامسونج للإلكترونيات استخدام منهجية التصنيع الخاصة بها لمنتجات الذاكرة القياسية ذات النطاق الترددي العالي والطلبات المخصصة للعملاء الآخرين.

ينبغي للمستثمرين مراقبة ما إذا كانت الطاقة الإنتاجية لدى شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة ستصبح مقيدة مع توجيه شركة إنفيديا لموردي ذاكرة إضافيين لاعتماد مسار الإنتاج المتطابق نفسه.