中国长鑫存储推进下一代DRAM内存 美光与SK海力士股价下挫
看跌中等影响
在中国长鑫存储（CXMT）宣布在一项新型动态随机存取内存（DRAM）架构上取得进展后，主要内存芯片制造商美光科技（MU）和SK海力士（000660）的股票交易走低。美光科技微跌0.66%，SK海力士则下跌4.52%。
这家中国半导体厂商宣布计划在2026年底前推出基于4F平方单元架构的服务器内存产品。目前商业化的DRAM采用6F平方设计。通过Vertical Surrounding Gate设计将晶体管沟道由水平转向垂直，长鑫存储旨在将更多内存单元容纳到单颗芯片上，从而在缩小与全球对手技术差距的同时，提高存储密度并降低能耗。
投资者正在密切关注长鑫存储执行其路线图的速度，包括在今年年底前面向企业级服务器推出DDR5带寄存器双列直插内存模块（RDIMM）的计划。行业观察人士也将跟踪全球内存领军企业的竞争性进展，其中SK海力士在2025年概述了4F平方路线图，而三星电子则计划在2028年前实现10纳米以下4F平方DRAM的生产。
要点
- 受中国竞争对手最新动态影响，美光科技（MU）下跌0.66%，SK海力士（000660）下跌4.52%。
- 长鑫存储计划在2026年底前发布基于4F平方DRAM架构的服务器内存产品。
- 4F平方设计采用垂直晶体管沟道，相比6F平方DRAM可提高内存单元密度并提升能效。
- 长鑫存储还计划在今年年底前推出新款DDR5企业级服务器内存模块。
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美光和SK海力士股票为何下跌？
中国长鑫存储宣布在用于服务器内存的下一代4F平方DRAM架构上取得进展，引发了市场对主要芯片厂商面临竞争的担忧，导致股价下跌。
什么是4F平方DRAM技术？
这是一种先进的内存设计，将晶体管沟道从水平转为垂直，从而在单颗芯片上容纳更多内存单元，与标准6F平方DRAM相比可提高存储密度和能效。
长鑫存储何时推出其下一代DRAM产品？
长鑫存储计划在今年年底前推出面向企业级服务器的DDR5带寄存器双列直插内存模块，随后在2026年底前推出4F平方服务器内存产品。