Las acciones de Micron y SK Hynix caen mientras la china CXMT avanza en memorias DRAM de última generación
Las acciones de los principales fabricantes de chips de memoria, Micron Technology, Inc. (MU) y SK Hynix Inc. (000660), cotizaron a la baja tras un anuncio de ChangXin Memory Technologies (CXMT) sobre los avances en una nueva arquitectura de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Micron bajó un 0,66%, mientras que SK Hynix cayó un 4,52%.
El productor chino de semiconductores anunció sus planes de introducir un producto de memoria para servidores basado en una arquitectura de celda 4F cuadrado para finales de 2026. La DRAM comercial actual utiliza un diseño 6F cuadrado. Al pasar de canales de transistores horizontales a verticales mediante un diseño Vertical Surrounding Gate, CXMT busca integrar más celdas de memoria en cada chip, aumentando potencialmente la densidad de almacenamiento y reduciendo el consumo energético a medida que intenta cerrar la brecha tecnológica con sus competidores globales.
Los inversores están atentos a la rapidez con la que CXMT pueda ejecutar su hoja de ruta, que incluye planes para lanzar módulos de memoria con línea doble registrada (RDIMM) DDR5 para servidores empresariales antes de fin de año. Los observadores del sector también seguirán la evolución de los desarrollos competidores de los líderes mundiales de memoria, ya que SK Hynix presentó una hoja de ruta para 4F cuadrado en 2025 y Samsung Electronics planea producir DRAM 4F cuadrado de menos de 10 nanómetros para 2028.
Puntos clave
- Micron Technology, Inc. (MU) cayó un 0,66% y SK Hynix Inc. (000660) retrocedió un 4,52% tras novedades sobre la competencia en China.
- ChangXin Memory Technologies prevé lanzar un producto de memoria para servidores basado en la arquitectura DRAM 4F cuadrado para finales de 2026.
- El diseño 4F cuadrado utiliza canales de transistores verticales para aumentar la densidad de celdas de memoria y mejorar la eficiencia energética frente a la DRAM 6F cuadrado.
- CXMT también tiene la intención de lanzar nuevos módulos de memoria DDR5 para servidores empresariales antes de fin de año.
Traducido por nuestra IA a partir de nuestro artículo en inglés, basado en fuentes expertas del mercado en la web. Puede contener errores: verifica los datos antes de actuar. Resúmenes creados con la API de IA gratis de FreeTheAI.org
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¿Por qué cayeron las acciones de Micron y SK Hynix?
Las acciones cayeron después de que la china ChangXin Memory Technologies anunciara avances en una arquitectura DRAM 4F cuadrado de última generación para memoria de servidores, lo que generó inquietud sobre la competencia entre los principales fabricantes de chips.
¿Qué es la tecnología DRAM 4F cuadrado?
Es un diseño avanzado de memoria que pasa de canales de transistores horizontales a verticales, permitiendo alojar más celdas de memoria en un solo chip para aumentar la densidad de almacenamiento y la eficiencia energética en comparación con la DRAM 6F cuadrado estándar.
¿Cuándo lanzará CXMT sus productos DRAM de próxima generación?
CXMT planea lanzar módulos de memoria con línea doble registrada DDR5 para servidores empresariales antes de fin de año, seguidos de un producto de memoria para servidores 4F cuadrado para finales de 2026.