Aktien von Micron und SK Hynix geben nach Fortschritt von Chinas CXMT bei DRAM-Speicher nach
Die Aktien der führenden Speicherchip-Hersteller Micron Technology, Inc. (MU) und SK Hynix Inc. (000660) notierten schwächer, nachdem ChangXin Memory Technologies (CXMT) Fortschritte bei einer neuen Architektur für dynamische Speichermodule (DRAM) bekannt gegeben hatte. Micron gab um 0,66 % nach, während SK Hynix um 4,52 % einbrach.
Der chinesische Halbleiterhersteller kündigte Pläne an, bis Ende 2026 ein Server-Speicherprodukt auf Basis einer 4F-Quadrat-Zellarchitektur einzuführen. Derzeit kommerziell genutzte DRAM-Speicher setzen auf ein 6F-Quadrat-Design. Durch den Wechsel von horizontalen zu vertikalen Transistorkanälen über ein Vertical-Surrounding-Gate-Design will CXMT mehr Speicherzellen auf jedem Chip unterbringen. Dies soll die Speicherdichte erhöhen und den Energieverbrauch senken, um den technologischen Rückstand auf globale Konkurrenten zu verringern.
Anleger beobachten genau, wie schnell CXMT seine Roadmap umsetzen kann, darunter die Pläne zur Einführung von registrierten DDR5-Dual-Inline-Speichermodulen für Unternehmensserver vor Jahresende. Branchenbeobachter verfolgen zudem die Entwicklung bei weltweiten Speicherführern, da SK Hynix für 2025 eine 4F-Quadrat-Roadmap vorgelegt hat und Samsung Electronics die Produktion von 4F-Quadrat-DRAMs unter 10 Nanometern bis 2028 anstrebt.
Das Wichtigste
- Micron Technology, Inc. (MU) fiel um 0,66 % und SK Hynix Inc. (000660) verlor 4,52 % nach Wettbewerbsnachrichten aus China.
- ChangXin Memory Technologies plant, bis Ende 2026 ein Server-Speicherprodukt auf Basis der 4F-Quadrat-DRAM-Architektur auf den Markt zu bringen.
- Das 4F-Quadrat-Design nutzt vertikale Transistorkanäle, um die Speicherzellendichte zu erhöhen und die Energieeffizienz gegenüber 6F-Quadrat-DRAM zu verbessern.
- CXMT beabsichtigt zudem, bis Ende des Jahres neue DDR5-Speichermodule für Unternehmensserver auf den Markt zu bringen.
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Wie wir schreibenHaftungsausschlussFragen und Antworten
Warum sind die Aktien von Micron und SK Hynix gefallen?
Die Papiere gaben nach, nachdem das chinesische Unternehmen ChangXin Memory Technologies Fortschritte bei einer Next-Gen-4F-Quadrat-DRAM-Architektur für Server-Speicher gemeldet hatte, was Wettbewerbssorgen bei den führenden Chipherstellern schürte.
Was ist die 4F-Quadrat-DRAM-Technologie?
Es handelt sich um ein fortschrittliches Speicherdesign, das von horizontalen zu vertikalen Transistorkanälen wechselt. Dadurch passen mehr Speicherzellen auf einen einzigen Chip, was die Speicherdichte und Energieeffizienz im Vergleich zu Standard-6F-Quadrat-DRAM steigert.
Wann bringt CXMT seine DRAM-Produkte der nächsten Generation auf den Markt?
CXMT plant, bis Ende des Jahres registrierte DDR5-Dual-Inline-Speichermodule für Unternehmensserver auf den Markt zu bringen, gefolgt von einem 4F-Quadrat-Server-Speicherprodukt bis Ende 2026.