Ações da Micron e da SK Hynix caem com avanço da chinesa CXMT em memórias DRAM de última geração
As ações das grandes fabricantes de chips de memória Micron Technology, Inc. (MU) e SK Hynix Inc. (000660) operaram em queda após um anúncio da ChangXin Memory Technologies (CXMT) sobre avanços em uma nova arquitetura de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM). A Micron recuou 0,66%, enquanto a SK Hynix caiu 4,52%.
A produtora chinesa de semicondutores anunciou planos para introduzir um produto de memória para servidores baseado em uma arquitetura de célula 4F quadrado até o final de 2026. A DRAM comercial atual utiliza um design 6F quadrado. Ao mudar de canais de transistores horizontais para verticais por meio do design Vertical Surrounding Gate, a CXMT visa comportar mais células de memória em cada chip, aumentando potencialmente a densidade de armazenamento e reduzindo o consumo de energia na tentativa de fechar a lacuna tecnológica com rivais globais.
Investidores acompanham a rapidez com que a CXMT conseguirá executar seu plano de ação, que inclui o lançamento de módulos de memória registrador de linha dupla (RDIMM) DDR5 para servidores corporativos antes do fim do ano. Observadores do setor também monitoram desenvolvimentos concorrentes de líderes globais em memória, já que a SK Hynix delineou um roteiro para 4F quadrado em 2025 e a Samsung Electronics planeja a produção de DRAM 4F quadrado abaixo de 10 nanômetros até 2028.
Pontos principais
- A Micron Technology, Inc. (MU) caiu 0,66% e a SK Hynix Inc. (000660) recuou 4,52% após atualizações da concorrência vinda da China.
- A ChangXin Memory Technologies planeja lançar um produto de memória para servidores baseado na arquitetura DRAM 4F quadrado até o final de 2026.
- O design 4F quadrado utiliza canais de transistores verticais para aumentar a densidade de células de memória e melhorar a eficiência energética em comparação à DRAM 6F quadrado.
- A CXMT também pretende lançar novos módulos de memória DDR5 para servidores corporativos até o fim do ano.
Traduzido pela nossa IA a partir do nosso texto em inglês, baseado em fontes especializadas do mercado na web. Pode conter erros: confira os fatos antes de agir. Resumos feitos com a API de IA grátis da FreeTheAI.org
Como escrevemosAviso legalPerguntas e respostas
Por que as ações da Micron e da SK Hynix caíram?
As ações caíram depois que a chinesa ChangXin Memory Technologies anunciou progressos em uma arquitetura DRAM 4F quadrado de próxima geração para memória de servidores, gerando preocupações competitivas entre as principais fabricantes de chips.
O que é a tecnologia DRAM 4F quadrado?
Trata-se de um design avançado de memória que altera os canais de transistores de horizontais para verticais, permitindo encaixar mais células de memória em um único chip para elevar a densidade de armazenamento e a eficiência energética em relação à DRAM 6F quadrado padrão.
Quando a CXMT lançará seus produtos DRAM de última geração?
A CXMT planeja lançar módulos de memória registrador de linha dupla DDR5 para servidores corporativos até o fim do ano, seguidos por um produto de memória para servidores 4F quadrado até o final de 2026.