Micron et SK Hynix replient alors que le chinois CXMT progresse dans la mémoire DRAM de nouvelle génération
Les actions des grands fabricants de puces mémoire Micron Technology, Inc. (MU) et SK Hynix Inc. (000660) ont évolué en baisse à la suite d'une annonce de ChangXin Memory Technologies (CXMT) concernant des progrès sur une nouvelle architecture de mémoire vive dynamique (DRAM). Micron a fléchi de 0,66 %, tandis que SK Hynix a reculé de 4,52 %.
Le producteur chinois de semi-conducteurs a annoncé son intention de lancer un produit de mémoire pour serveurs reposant sur une architecture de cellule 4F carré d'ici la fin 2026. La DRAM commercialisée actuellement utilise un design 6F carré. En passant de canaux de transistors horizontaux à des canaux verticaux via une conception Vertical Surrounding Gate, CXMT vise à intégrer davantage de cellules de mémoire sur chaque puce, augmentant potentiellement la densité de stockage et réduisant la consommation d'énergie afin de combler son retard technologique sur ses rivaux mondiaux.
Les investisseurs surveillent la rapidité avec laquelle CXMT pourra exécuter sa feuille de route, qui prévoit le déploiement de modules de mémoire enregistrés à double rangée (RDIMM) DDR5 pour serveurs d'entreprise d'ici la fin de l'année. Les observateurs du secteur suivront également les développements concurrents des leaders mondiaux de la mémoire, SK Hynix ayant présenté une feuille de route 4F carré en 2025 et Samsung Electronics visant la production de DRAM 4F carré sous la barre des 10 nanomètres d'ici 2028.
Points clés
- Micron Technology, Inc. (MU) a perdu 0,66 % et SK Hynix Inc. (000660) a chuté de 4,52 % après des nouvelles sur la concurrence venue de Chine.
- ChangXin Memory Technologies prévoit de commercialiser un produit de mémoire pour serveurs basé sur l'architecture DRAM 4F carré d'ici la fin 2026.
- La conception 4F carré utilise des canaux de transistors verticaux pour augmenter la densité des cellules de mémoire et améliorer l'efficacité énergétique par rapport à la DRAM 6F carré.
- CXMT entend également lancer de nouveaux modules de mémoire DDR5 pour serveurs d'entreprise d'ici la fin de l'année.
Traduit par notre IA à partir de notre article en anglais, fondé sur des sources expertes des marchés sur le web. Des erreurs sont possibles : vérifiez les faits avant d’agir. Synthèses rédigées avec l’API d’IA gratuite de FreeTheAI.org
Comment nous écrivonsAvertissementQuestions et réponses
Pourquoi les actions de Micron et SK Hynix ont-elles baissé ?
Les titres ont chuté après que le chinois ChangXin Memory Technologies a annoncé des progrès sur une architecture DRAM 4F carré de nouvelle génération pour serveurs, suscitant des inquiétudes quant à la concurrence chez les principaux fabricants de puces.
Qu'est-ce que la technologie DRAM 4F carré ?
Il s'agit d'une conception de mémoire avancée qui passe de canaux de transistors horizontaux à verticaux, permettant d'intégrer plus de cellules de mémoire sur une même puce afin de renforcer la densité de stockage et l'efficacité énergétique par rapport à la DRAM 6F carré standard.
Quand CXMT lancera-t-il ses produits DRAM de nouvelle génération ?
CXMT prévoit de lancer des modules de mémoire enregistrés à double rangée DDR5 pour serveurs d'entreprise d'ici la fin de l'année, puis un produit de mémoire pour serveurs 4F carré d'ici la fin 2026.