انخفاض أسهم ميكرون وSK هاينكس مع تقدم شركة CXMT الصينية في ذاكرة DRAM من الجيل القادم
تراجعت أسهم شركتي صناعة رقائق الذاكرة الرائدتين ميكرون للتكنولوجيا (MU) وSK هاينكس (000660) في أعقاب إعلان من شركة تشانغ شين لتقنيات الذاكرة (CXMT) بشأن التقدم المحرز في بنية جديدة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM). وانخفض سهم ميكرون بنسبة 0.66%، بينما تراجع سهم SK هاينكس بنسبة 4.52%.
وأعلنت الشركة الصينية لإنتاج أشباه الموصلات عن خطط لطرح منتج ذاكرة للخوادم يعتمد على بنية خلية 4F مربعة بحلول أواخر عام 2026. وتستخدم ذاكرة DRAM التجارية الحالية تصميم 6F مربع. ومن خلال الانتقال من قنوات الترانزستور الأفقية إلى الرأسية عبر تصميم البوابة المحيطية الرأسية (Vertical Surrounding Gate)، تهدف CXMT إلى دمج المزيد من خلايا الذاكرة في كل شريحة، مما قد يزيد من كثافة التخزين ويقلل من استهلاك الطاقة في إطار مساعيها لتقليص الفجوة التكنولوجية مع المنافسين العالميين.
يراقب المستثمرون مدى سرعة CXMT في تنفيذ خارطة طريقها، بما في ذلك خطط إطلاق وحدات ذاكرة DDR5 المسجلة مزدوجة الخطوط للخوادم المؤسسية قبل نهاية العام. كما سيتابع مراقبو القطاع التطورات المنافسة من كبرى شركات الذاكرة العالمية، حيث حددت SK هاينكس خارطة طريق لتصميم 4F المربع في عام 2025، بينما تستهدف سامسونج للإلكترونيات إنتاج ذاكرة DRAM بتصميم 4F المربع بدقة تصنيع أقل من 10 نانومتر بحلول عام 2028.
أهم النقاط
- انخفض سهم ميكرون للتكنولوجيا (MU) بنسبة 0.66% وتراجع سهم SK هاينكس (000660) بنسبة 4.52% في أعقاب تحديثات المنافسة من الصين.
- تخطط شركة تشانغ شين لتقنيات الذاكرة لإطلاق منتج ذاكرة للخوادم يعتمد على بنية DRAM بحجم 4F المربع بحلول نهاية عام 2026.
- يستخدم تصميم 4F المربع قنوات ترانزستور رأسية لزيادة كثافة خلايا الذاكرة وتحسين كفاءة الطاقة مقارنة بذاكرة DRAM بتصميم 6F المربع.
- تعتزم CXMT أيضاً إطلاق وحدات ذاكرة DDR5 جديدة لخوادم المؤسسات بحلول نهاية العام.
ترجمه ذكاؤنا الاصطناعي من مقالنا الإنجليزي المستند إلى مصادر سوق خبيرة على الويب. قد يحتوي على أخطاء: تحقق من الحقائق قبل أي قرار. الملخصات مكتوبة بواجهة الذكاء الاصطناعي المجانية من FreeTheAI.org
كيف نكتبإخلاء المسؤوليةأسئلة وأجوبة
لماذا انخفضت أسهم ميكرون وSK هاينكس؟
انخفضت الأسهم بعد أن أعلنت شركة تشانغ شين لتقنيات الذاكرة الصينية عن تقدم في بنية DRAM بحجم 4F المربع من الجيل القادم لذاكرة الخوادم، مما أثار مخاوف تنافسية بين كبرى شركات صناعة الرقائق.
ما هي تكنولوجيا DRAM بحجم 4F المربع؟
هي تصميم متطور للذاكرة ينتقل من قنوات الترانزستور الأفقية إلى الرأسية، مما يسمح باستيعاب المزيد من خلايا الذاكرة في شريحة واحدة لزيادة كثافة التخزين وكفاءة الطاقة مقارنة بذاكرة DRAM القياسية بتصميم 6F المربع.
متى ستطلق CXMT منتجات DRAM من الجيل القادم؟
تخطط CXMT لإطلاق وحدات ذاكرة DDR5 المسجلة مزدوجة الخطوط لخوادم المؤسسات بحلول نهاية العام، يليه منتج ذاكرة للخوادم بتصميم 4F المربع بحلول أواخر عام 2026.