Goldman Sachs destaca flash de alta largura de banda como próximo líder na corrida da memória de IA

O analista do Goldman Sachs, James Schneider, destacou a memória flash de alta largura de banda (HBF) como uma tecnologia de armazenamento emergente que pode redefinir a competição entre os fabricantes de semicondutores. A empresa vê a Sandisk Corporation (NASDAQ:SNDK), SK Hynix Inc. (KRX:000660) e Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) como melhor posicionadas que a Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU) para capitalizar essa mudança de memória. A Samsung possui recomendação de Compra pela empresa, enquanto a Micron é classificada como Neutra devido ao seu forte foco em DRAM.

A transição para a HBF pode alterar significativamente a economia de hardware para a computação de inteligência artificial. O Goldman Sachs estima que a HBF pode reduzir o custo de processamento de consultas de IA em cerca de 30%, o que ajudaria os provedores de nuvem a limitar os gastos gerais com infraestrutura. Projeções colocam o tamanho potencial do mercado para a HBF entre US$ 40 bilhões e US$ 150 bilhões até 2030, dependendo da velocidade de adoção pelos projetistas de chips.

Os resultados comerciais permanecem incertos porque a tecnologia ainda está sendo aprimorada em nível de sistema. Os participantes do mercado acompanharão de perto as taxas de adoção, bem como soluções alternativas de memória em desenvolvimento por concorrentes como a Kioxia. Em negociações recentes, a Sandisk Corporation caiu 3,26%, para US$ 1.439, a Micron Technology recuou 5,17%, para US$ 937,90, a SK Hynix caiu 10,09%, para 1.443.000 KRW, e a Samsung Electronics caiu 7,39%, para 232.000 KRW.