Goldman Sachs destaca la memoria flash de alto ancho de banda como líder de la próxima carrera en memoria para IA
El analista de Goldman Sachs, James Schneider, destacó la memoria flash de alto ancho de banda (HBF) como una tecnología de almacenamiento emergente que podría redefinir la competencia entre los fabricantes de semiconductores. La firma considera que Sandisk Corporation (NASDAQ:SNDK), SK Hynix Inc. (KRX:000660) y Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) están mejor posicionadas que Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU) para aprovechar este cambio de memoria. Samsung mantiene una calificación de Comprar por parte de la firma, mientras que Micron tiene una calificación Neutral debido a su fuerte enfoque en la memoria DRAM.
El cambio hacia la HBF podría alterar significativamente la economía del hardware para la computación de inteligencia artificial. Goldman Sachs estima que la HBF podría reducir el costo de procesamiento de consultas de IA en aproximadamente un 30%, lo que ayudaría a los proveedores de la nube a limitar el gasto general en infraestructura. Las proyecciones sitúan el tamaño potencial del mercado para la HBF entre 40.000 millones y 150.000 millones de dólares para 2030, según la rapidez de adopción por parte de los diseñadores de chips.
Los resultados comerciales siguen siendo inciertos porque la tecnología aún se está perfeccionando a nivel de sistema. Los participantes del mercado seguirán de cerca las tasas de adopción, así como las soluciones de memoria alternativas en desarrollo por competidores como Kioxia. En operaciones recientes, Sandisk Corporation cayó un 3,26% a $1.439, Micron Technology bajó un 5,17% a $937,90, SK Hynix cayó un 10,09% a 1.443.000 KRW y Samsung Electronics bajó un 7,39% a 232.000 KRW.
Puntos clave
- Goldman Sachs prevé que la memoria flash de alto ancho de banda cree un mercado de entre $40.000 millones y $150.000 millones para 2030.
- La memoria flash de alto ancho de banda podría reducir los costos del procesamiento de inferencia de IA en aproximadamente un 30% para los operadores de la nube.
- SanDisk y SK Hynix se ven favorecidas para la HBF, mientras que Samsung mantiene una calificación de Comprar por su negocio de memoria flash NAND.
- Micron Technology lleva una calificación Neutral debido a que su combinación de productos depende más fuertemente de la DRAM.
- Los plazos de la tecnología siguen siendo inciertos mientras Kioxia desarrolla enfoques de memoria competidores.
Traducido por nuestra IA a partir de nuestro artículo en inglés, basado en fuentes expertas del mercado en la web. Puede contener errores: verifica los datos antes de actuar. Resúmenes creados con la API de IA gratis de FreeTheAI.org
Cómo escribimosAviso legalPreguntas y respuestas
¿Qué es la memoria flash de alto ancho de banda en la IA?
La memoria flash de alto ancho de banda es una tecnología de memoria emergente diseñada para procesar solicitudes de IA de forma más económica, reduciendo potencialmente los costos de inferencia de IA en alrededor del 30%.
¿Qué fabricantes de chips son favorecidos para la memoria flash de alto ancho de banda?
Goldman Sachs favorece a SanDisk y SK Hynix por sus capacidades en flash de alto ancho de banda, mientras otorga a Samsung Electronics una calificación de Comprar en función de su posición en memoria flash NAND.
¿Por qué Micron Technology tiene una calificación Neutral en comparación con sus pares?
Micron Technology lleva una calificación Neutral porque su enfoque comercial está más orientado a la memoria DRAM que a la tecnología flash de alto ancho de banda.