Goldman Sachs désigne le flash à haute bande passante comme futur leader de la mémoire pour l'IA

L'analyste de Goldman Sachs, James Schneider, a mis en avant la mémoire flash à haute bande passante (HBF) comme une technologie de stockage émergente susceptible de redéfinir la concurrence entre les fabricants de semi-conducteurs. La société estime que Sandisk Corporation (NASDAQ:SNDK), SK Hynix Inc. (KRX:000660) et Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) sont mieux positionnées que Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU) pour tirer parti de cette transition de mémoire. Samsung bénéficie d'une recommandation d'Achat de la part de la firme, tandis que Micron est classée Neutre en raison de sa forte orientation vers la DRAM.

Le passage à la HBF pourrait modifier considérablement l'économie du matériel pour le calcul d'intelligence artificielle. Goldman Sachs estime que la HBF pourrait réduire le coût de traitement des requêtes d'IA d'environ 30 %, ce qui aiderait les fournisseurs de cloud à limiter leurs dépenses globales d'infrastructure. Les projections situent la taille potentielle du marché de la HBF entre 40 milliards et 150 milliards de dollars d'ici 2030, selon la rapidité d'adoption par les concepteurs de puces.

Les résultats commerciaux restent incertains car la technologie est encore en cours de perfectionnement au niveau système. Les acteurs du marché surveilleront de près les taux d'adoption, ainsi que les solutions de mémoire alternatives en cours de développement chez des concurrents comme Kioxia. Lors de séances récentes, Sandisk Corporation a reculé de 3,26 % à 1 439 $, Micron Technology a chuté de 5,17 % à 937,90 $, SK Hynix a perdu 10,09 % à 1 443 000 KRW et Samsung Electronics a baissé de 7,39 % à 232 000 KRW.