中国长鑫存储推进内存芯片设计，美光与SK海力士股价下跌

在有报道称中国半导体厂商长鑫存储（CXMT）在一种名为4F-squared的高密度DRAM架构上取得进展后，内存芯片制造商美光科技（NASDAQ:MU）与SK海力士（NASDAQ:SKHY）的股价双双下跌。这一技术突破允许芯片制造商在更小的占地面积内装入更多内存单元，从而提升制造效率。长鑫存储计划在2026年底前推出采用该技术的服务器DRAM产品，引发了投资者对中国竞争加剧的担忧。

即便现有生产商正投入巨资扩产，内存供给增加的威胁仍可能压低更广泛的芯片价格并缩减新厂的投资回报。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）指出，2026财年的资本支出将超过250亿美元，且2027财年的支出还将进一步增加。尽管预计利用长鑫存储新架构进行大规模量产在2028年之前不太可能实现，但产能增加仍存在侵蚀利润率的风险。值得注意的是，长鑫存储的进展针对的是传统服务器内存，而非人工智能应用所需的高级高带宽内存（HBM）。

投资者正在密切关注长鑫存储迈向商业化生产的时间表、内存价格趋势以及美光和SK海力士资本支出计划可能做出的调整。