Tower Semiconductor y Semtech amplían su acuerdo de fabricación de chips para centros de datos de IA

Semtech Corporation (NASDAQ:SMTC) y Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ:TSEM) anunciaron un acuerdo plurianual ampliado para incrementar la capacidad de fabricación de componentes de red de alta velocidad para inteligencia artificial. En virtud de esta alianza, Semtech financiará capacidad de fabricación dedicada de germanio-silicio en las instalaciones de fabricación globales de Tower ubicadas en Estados Unidos, Israel y Japón.

A medida que los clústeres de inteligencia artificial se expanden, transferir datos de manera eficiente a través de los centros de datos requiere una cantidad significativa de energía eléctrica. Las interconexiones ópticas y de cobre de alta velocidad son fundamentales para reducir el consumo de energía al tiempo que mantienen altas velocidades de transmisión conforme el ancho de banda de la red escala de arquitecturas de 800G a 1.6T y 3.2T. El proceso de germanio-silicio de Tower impulsa los chips de integridad de señal de Semtech, que transmiten y reciben señales de alta velocidad dentro de la infraestructura de IA.

Los inversores observarán de cerca la rapidez con la que Semtech utilice la capacidad de fabricación reservada a medida que aumente la adopción por parte de los clientes en proyectos de centros de datos de próxima generación. Los participantes del mercado también seguirán si la red de fabricación multirregional ofrece suficiente resiliencia en la cadena de suministro para proteger a Semtech frente a interrupciones regionales mientras satisface la creciente demanda de componentes ópticos para IA.