XMAX, Inc. acuerda adquirir Hexa Creation para expandirse en semiconductores de potencia para IA

XMAX, Inc. (XMAX) ha firmado un acuerdo definitivo para comprar Hexa Creation. Esta adquisición incorpora la tecnología de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) vertical de 1200 V a la cartera de la empresa. La tecnología, específicamente un MOSFET de trinchera de GaN vertical de 1200 V, está diseñada para soportar la infraestructura de energía de los centros de datos de inteligencia artificial, en particular los requisitos emergentes de energía de 800 V CC.

La adquisición representa un cambio estratégico para XMAX, Inc., lo que le permite expandir su negocio más allá de su enfoque actual en muebles y software de inteligencia artificial. Al añadir capacidades de semiconductores de alta tensión y asegurar una licencia exclusiva de propiedad intelectual universitaria, la empresa se diversifica hacia sectores de alto crecimiento. Estos incluyen vehículos eléctricos, almacenamiento de energía, sistemas de carga y centros de datos de IA. Tras el anuncio, las acciones de la empresa subieron un 0,92 % hasta los 8,82 USD.

Los inversores deben estar atentos a las próximas presentaciones regulatorias para obtener más detalles sobre la transacción. La empresa tiene previsto revelar las condiciones financieras, la estructura de financiación y los posibles riesgos de dilución de la operación en una presentación del formulario 8-K el 9 de octubre de 2026. Los futuros hitos de comercialización y la obtención de contratos de diseño también serán fundamentales de seguir a medida que la empresa integre esta nueva tecnología.