كاثي وود تحذر من أن توسع الصين في ذاكرة DRAM قد يعزز تقلبات شرائح الذاكرة

حذرت كاثي وود، الشريكة المؤسسة لشركة ARK Investment Management، المستثمرين في هونغ كونغ من أن زيادة إنتاج شرائح الذاكرة من الصين قد تجعل قطاع الذاكرة أكثر تقلبًا. وعلى الرغم من أن الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي يظل مرتفعًا والإمدادات شحيحة، فقد نبهت وود إلى أن المنافسة المتزايدة، وخاصة من شركة ChangXin Memory Technologies المدعومة من الدولة والتي توسع طاقتها الإنتاجية من ذاكرة DRAM، تهدد بإرباك تسعير الشرائح في المستقبل.

يأتي هذا التحذير في وقت تواجه فيه كبرى الشركات المصنعة للذاكرة ضغوطًا سوقية متزايدة. حيث انخفضت أسهم شركة Micron Technology, Inc. (NASDAQ:MU) اليوم بنسبة 4.70% لتصل إلى 942.50 دولارًا، بينما تراجعت أسهم SK hynix Inc. (KRX:000660) بنسبة 10.09% وانخفضت أسهم Samsung Electronics Co., Ltd. (KRX:005930) بنسبة 7.39%. وقد شهدت كلا الشركتين الكوريتين بالفعل تراجعات حادة من مستوياتهما الذروية في وقت سابق من هذا العام، حيث يزن المستثمرون مخاطر العرض الدورية مقابل الطلب على الذكاء الاصطناعي.

ينبغي للمستثمرين مراقبة أسعار عقود DRAM القادمة، اتجاهات تسعير الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي، وخطط الإنفاق الرأسمالي لدى كبار المصنعين. كما سيكون تتبع مستويات المخزون ونمو السعة الإنتاجية الصينية أمرًا حاسمًا في تقييم ما إذا كان نقص المعروض الحالي يمكن أن يستمر أم أن الإنتاج الجديد سيتسبب في دورة هبوط.